MWI80-12T6K - IGBT MOD.DIODE SIX 56A 1200V SOA E1-PACK CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MWI80-12T6K Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 56A 1200V SOA E1-PACK CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 119,68257 USD 4136,62457 ₺ + KDV
10 + 113,98340 USD 3939,64245 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology SOA Capability
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) 56A
Voltage 1.2kV
Manufacturer IXYS
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 80A
Power Dissipation 270W
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Package / Case E1-Pack
VCE Sat 2V
Current Temperature (IC) 80°C
Configuration Six
Rohs ROHS
Packaging BOX
Hata Bildirin