MWI80-12T6K - IGBT MOD.DIODE SIX 56A 1200V SOA E1-PACK CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MWI80-12T6K Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 56A 1200V SOA E1-PACK CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 132,83298 USD
10 + 126,50760 USD
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case E1-Pack
Current Temperature (IC) 80°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Technology SOA Capability
Configuration Six
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 80A
Mounting Type Chassis
Current (Ic) 56A
VCE Sat 2V
Power Dissipation 270W
Voltage 1200V (1.2kV)
Hata Bildirin