* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12150S-BN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 1200V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 122,64179 USD 4279,54830 ₺ + KDV
100 + 116,80170 USD 4075,76028 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Package / Case S3 Case
Current (Ic) 150A
Technology Power Module
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1.2kV
VCE Sat 1.7V
Power Dissipation 625W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 200A
Configuration Dual
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Hata Bildirin