* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12150S-BN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 1200V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 137,30871 USD 5479,27661 ₺ + KDV
100 + 130,77020 USD 5218,35868 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) 150A
Additional Documentation N/A
Diode With Diode
VCE Sat 1.7V
Power Dissipation 625W
Configuration Dual
Manufacturer IXYS
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Voltage 1200V (1.2kV)
Mounting Type Chassis
Package / Case S3 Case
Technology Power Module
Current (Ic) (25°C) 200A
Current Temperature (IC) 80°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Hata Bildirin