* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12100W-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 100A 1200V W CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 20
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 230,39783 USD 7511,01517 ₺ + KDV
20 + 219,42650 USD 7153,34779 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Packaging BOX
Package / Case W Case
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 1.7V
Current (Ic) (25°C) 140A
Configuration Six
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 450W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Technology Power Module
Diode With Diode
Current (Ic) 100A
Hata Bildirin