* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12100W-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 100A 1200V W CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 20
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 230,65203 USD 7457,14159 ₺ + KDV
20 + 219,66860 USD 7102,03961 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case W Case
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 1.7V
Manufacturer IXYS
Packaging BOX
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 450W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Technology Power Module
Diode With Diode
Current (Ic) 100A
Current (Ic) (25°C) 140A
Configuration Six
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Hata Bildirin