* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu WG50N65HSW1Q Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.SIC DIODE SINGLE 50A 650V TO247-3 THT
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 4,16735 USD 147,49502 ₺ + KDV
30 + 3,78850 USD 134,08638 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer WEEN SEMICONDUCTORS
Package / Case TO247-3
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Mounting Type THT
Current (Ic) (25°C) 100A
Current Temperature (IC) 100°C
Junction Temperature (Tj) 175°C
Current (Ic) 50A
Diode With Diode SiC
Voltage 650V
Power Dissipation 454W
Configuration Single
Packaging TUBE
Technology Trench Field Stop
VCE Sat 1.55V
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin