* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu WG50N65HSW1Q Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.SIC DIODE SINGLE 50A 650V TO247-3 THT
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 4,16735 USD 144,09905 ₺ + KDV
30 + 3,78850 USD 130,99913 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging TUBE
VCE Sat 1.55V
Configuration Single
Diode With Diode SiC
Current (Ic) 50A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Manufacturer WEEN SEMICONDUCTORS
Voltage 650V
Technology Trench Field Stop
Power Dissipation 454W
Mounting Type THT
Package / Case TO247-3
Rohs ROHS
Current (Ic) (25°C) 100A
Current Temperature (IC) 100°C
Junction Temperature (Tj) 175°C
Hata Bildirin