IXBT6N170 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT6N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 12,86568 USD 467,23003 ₺ + KDV
30 + 12,02400 USD 436,66358 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 12A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Current (Ic) 6A
Voltage 1.7kV
Mounting Type SMT
Current Temperature (IC) 90°C
Power Dissipation 75W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Diode With Diode
VCE Sat 3.4V
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin