IXBT6N170 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT6N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA
Stok 476
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 12,77280 USD 449,31914 ₺ + KDV
30 + 11,93720 USD 419,92443 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
VCE Sat 3.4V
Rohs ROHS
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Power Dissipation 75W
Current Temperature (IC) 90°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Package / Case TO268 (D3PAK)
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Current (Ic) (25°C) 12A
Current (Ic) 6A
Voltage 1.7kV
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin