IXBT16N170AHV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT16N170AHV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 60
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 17,69534 USD 633,93021 ₺ + KDV
30 + 16,53770 USD 592,45814 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 16A
Current Temperature (IC) 90°C
Power Dissipation 150W
Rohs ROHS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Voltage 1.7kV
VCE Sat 6V
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Current (Ic) 10A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Packaging TUBE
Hata Bildirin