IXBT16N170AHV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT16N170AHV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 60
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 17,64751 USD 620,80058 ₺ + KDV
30 + 16,49300 USD 580,18746 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 150W
Mounting Type SMT
Current (Ic) 10A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Current (Ic) (25°C) 16A
Current Temperature (IC) 90°C
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
VCE Sat 6V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Diode With Diode
Voltage 1.7kV
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin