IXBT16N170A - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT16N170A Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET
Stok 62
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 20,60264 USD 720,62458 ₺ + KDV
30 + 19,25480 USD 673,48092 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Voltage 1.7kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Power Dissipation 150W
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current (Ic) (25°C) 16A
Rohs ROHS
Current (Ic) 10A
Current Temperature (IC) 90°C
Configuration Single
Manufacturer IXYS
VCE Sat 6V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin