IXBT16N170A - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT16N170A Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET
Stok 62
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 21,67991 USD 823,59384 ₺ + KDV
30 + 20,26160 USD 769,71387 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Configuration Single
Diode With Diode
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Current (Ic) (25°C) 16A
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Technology BiMOSFET
Current (Ic) 10A
Current Temperature (IC) 90°C
Voltage 1.7kV
VCE Sat 6V
Power Dissipation 150W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Packaging TUBE
Hata Bildirin