IXBF55N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF55N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 184,51766 USD 7345,70320 ₺ + KDV
25 + 175,73110 USD 6995,90781 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging TUBE
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 3000V (3kV)
Diode With Diode
VCE Sat 2.7V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type THT
Technology BiMOSFET
Power Dissipation 357W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Manufacturer IXYS
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Current (Ic) (25°C) 86A
Current (Ic) 34A
Rohs ROHS
Hata Bildirin