IXBF55N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF55N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 167,79368 USD 5440,99516 ₺ + KDV
25 + 159,80350 USD 5181,90015 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Rohs ROHS
Diode With Diode
Current (Ic) 34A
VCE Sat 2.7V
Technology BiMOSFET
Mounting Type THT
Current Temperature (IC) 110°C
Power Dissipation 357W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) (25°C) 86A
Voltage 3kV
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Hata Bildirin