IXBF20N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF20N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok 25
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 108,30393 USD 4244,06278 ₺ + KDV
25 + 103,14660 USD 4041,96456 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 45A
Diode With Diode
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Additional Documentation N/A
Package / Case ISOPLUSI4-PAC
Current (Ic) 18A
VCE Sat 3.6V
Rohs ROHS
Technology BiMOSFET
Current Temperature (IC) 110°C
Power Dissipation 230W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
Mounting Type THT
Voltage 3.6kV
Packaging TUBE
Hata Bildirin