IXBF20N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF20N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok 25
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 103,88245 USD 3367,44305 ₺ + KDV
25 + 97,08640 USD 3147,14303 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 230W
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current (Ic) 18A
VCE Sat 3.6V
Current Temperature (IC) 110°C
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Technology BiMOSFET
Package / Case ISOPLUSI4-PAC
Voltage 3.6kV
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type THT
Current (Ic) (25°C) 45A
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Hata Bildirin