WNSC2M30120R6Q - MOSFET SIL.CARB.DIS.106,4A@25 C 1200V N-CH TO247-4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu WNSC2M30120R6Q Copy
Ürün Açıklama MOSFET SIL.CARB.DIS.106,4A@25 C 1200V N-CH TO247-4
Stok 30
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 20,39934 USD 693,78958 ₺ + KDV
30 + 19,06480 USD 648,40147 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 652W
Manufacturer WEEN SEMICONDUCTORS
Package / Case TO247-4L
Technology Silicon Carbide (SiC)
Rds On 30m Ohms
Keyword
Mounting Type THT
Voltage 1.2kV
Rohs ROHS
Fet Type N-CH
Current (25°C) 106.4A
Trr 33.4ns
Configuration Single
Applications General Purpose
Operating Temperature -55°C~+175°C
Packaging TUBE
Hata Bildirin