* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu WMG200H12T2S Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 200A 1200V HİGH SPEED
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 108,55152 USD 3843,35341 ₺ + KDV
10 + 103,38240 USD 3660,33658 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 175°C
Technology Trench Field Stop
Additional Documentation N/A
VCE Sat 2.2V
Power Dissipation 950W
Configuration Dual
Manufacturer WEEN SEMICONDUCTORS
Package / Case 61.4x106.4Case (62mmPHB-A)
Current (Ic) (25°C) 400A
Current Temperature (IC) 100°C
Current (Ic) 200A
Voltage 1.2kV
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Packaging BOX
Hata Bildirin