MWI50-12T7T - IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V TRENCH E2-PACK CHASSI


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MWI50-12T7T Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V TRENCH E2-PACK CHASSI
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 175,35210 USD 6782,65430 ₺ + KDV
6 + 167,00200 USD 6459,67076 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Voltage 1.2kV
Packaging BOX
Technology Trench
VCE Sat 1.7V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current Temperature (IC) 80°C
Manufacturer IXYS
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 80A
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Additional Documentation N/A
Package / Case E2-Pack
Diode With Diode
Current (Ic) 50A
Power Dissipation 270W
Configuration Six
Rohs ROHS
Hata Bildirin