MWI50-12A7T - IGBT MOD.DIODE SIX 60A 1200V SOA E2-PACK CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MWI50-12A7T Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 60A 1200V SOA E2-PACK CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 190,70006 USD 7399,90586 ₺ + KDV
6 + 181,61910 USD 7047,52939 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Mounting Type Chassis
Current (Ic) 60A
Packaging BOX
Technology SOA Capability
Current (Ic) (25°C) 85A
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 2.2V
Configuration Six
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
Package / Case E2-Pack
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 350W
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Hata Bildirin