MIXA450PF1200TSF - IGBT MOD.DIODE DUAL 450A 1200V XPT SIMBUS F CHASSI


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MIXA450PF1200TSF Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 450A 1200V XPT SIMBUS F CHASSI
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 3
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 254,01254 USD 9649,63139 ₺ + KDV
3 + 241,91670 USD 9190,12513 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging BOX
Voltage 1.2kV
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 1.8V
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 650A
Power Dissipation 2.1kW
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Rohs ROHS
Package / Case SIMBUS F
Technology XPT
Current (Ic) 450A
Additional Documentation N/A
Configuration Dual
Hata Bildirin