* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG1250H-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V H CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 80
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 133,17980 USD 4836,55744 ₺ + KDV
80 + 126,83790 USD 4606,24518 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 75A
Manufacturer IXYS
Power Dissipation 260W
Configuration Six
Technology Power Module
Diode With Diode
Current (Ic) 50A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Mounting Type Chassis
Package / Case H Case
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1.2kV
VCE Sat 1.7V
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Rohs ROHS
Packaging BOX
Hata Bildirin