* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12200D-BN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 200A 1200V D3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 182,62430 USD 6934,51842 ₺ + KDV
30 + 173,92790 USD 6604,30325 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
VCE Sat 1.7V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 290A
Power Dissipation 1.05kW
Technology Power Module
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1.2kV
Configuration Dual
Package / Case D3 Case
Diode With Diode
Current (Ic) 200A
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin