* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12150W-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 150A 1200V W CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 20
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 333,77810 USD
20 + 317,88390 USD
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) 150A
VCE Sat 1.7V
Mounting Type Chassis
Packaging BOX
Voltage 1200V (1.2kV)
Technology Power Module
Power Dissipation 625W
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Current (Ic) (25°C) 200A
Current Temperature (IC) 80°C
Configuration Six
Additional Documentation N/A
Package / Case W Case
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Hata Bildirin