* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG06150S-BN4MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 600V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 118,06326 USD 4483,03908 ₺ + KDV
100 + 112,44120 USD 4269,56103 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Configuration Dual
Manufacturer IXYS
Technology Power Module
VCE Sat 1.45V
Mounting Type Chassis
Current (Ic) 150A
Power Dissipation 500W
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Package / Case S3 Case
Current (Ic) (25°C) 225A
Current Temperature (IC) 60°C
Voltage 600V
Junction Temperature (Tj) 175°C
Packaging BOX
Hata Bildirin