LGD8209TI - IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 445V N-CH IGNITION TO252


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu LGD8209TI Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 445V N-CH IGNITION TO252
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 2.500
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 1,18206 USD 40,87339 ₺ + KDV
2500 + 1,07460 USD 37,15763 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging TAPE&REEL
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 25°C
VCE Sat N/A
Package / Case TO252 (DPAK)
Voltage 445V
Rohs ROHS
Mounting Type SMT
Technology N-CH Ignition
Current (Ic) (25°C) 12A
Power Dissipation 94W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 175°C
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 12A
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Hata Bildirin