IXYN85N120C4H1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 85A 1200V GENX4 SOT227B CHAS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN85N120C4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 85A 1200V GENX4 SOT227B CHAS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
VCE Sat 2V
Junction Temperature (Tj) 175°C
Packaging TUBE
Diode With Diode
Configuration Single
Mounting Type Chassis
Technology GENX4
Current (Ic) (25°C) 150A
Additional Documentation N/A
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 600W
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Manufacturer LITTELFUSE
Current (Ic) 85A
Rohs ROHS
Hata Bildirin