IXYN85N120C4H1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 85A 1200V GENX4 SOT227B CHAS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN85N120C4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 85A 1200V GENX4 SOT227B CHAS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) 85A
Current Temperature (IC) 110°C
Mounting Type Chassis
Technology GENX4
Voltage 1.2kV
VCE Sat 2V
Manufacturer LITTELFUSE
Diode With Diode
Power Dissipation 600W
Packaging TUBE
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Current (Ic) (25°C) 150A
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 175°C
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Rohs ROHS
Hata Bildirin