IXYN110N120C4H1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN110N120C4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Current (Ic) 110A
Configuration Single
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 210A
Power Dissipation 830W
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 1.9V
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Packaging TUBE
Manufacturer LITTELFUSE
Technology GENX4
Diode With Diode
Voltage 1.2kV
Junction Temperature (Tj) 175°C
Hata Bildirin