IXYN110N120C4H1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN110N120C4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Voltage 1.2kV
Manufacturer LITTELFUSE
Mounting Type Chassis
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 210A
Configuration Single
Technology GENX4
Current (Ic) 110A
Junction Temperature (Tj) 175°C
Additional Documentation N/A
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 1.9V
Power Dissipation 830W
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Hata Bildirin