IXYN110N120C4 - IGBT DIS.SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN110N120C4 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Power Dissipation 830W
Technology GENX4
Additional Documentation N/A
Diode Without Diode
VCE Sat 1.9V
Manufacturer LITTELFUSE
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 220A
Voltage 1.2kV
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Packaging TUBE
Current (Ic) 110A
Current Temperature (IC) 110°C
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 175°C
Rohs ROHS
Hata Bildirin