* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXXP12N65B4D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 650V XPT TO220AB
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 50
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 3,16734 USD 110,78500 ₺ + KDV
50 + 2,87940 USD 100,71364 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 110°C
Packaging TUBE
Technology XPT
Voltage 650V
VCE Sat 1.95V
Current (Ic) (25°C) 38A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Mounting Type THT
Package / Case TO220AB
Junction Temperature (Tj) 175°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current (Ic) 12A
Power Dissipation 160W
Hata Bildirin