* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXXH80N65B4D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V XPT TO247
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 12,27451 USD 468,01092 ₺ + KDV
30 + 11,47150 USD 437,39338 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 625W
Junction Temperature (Tj) 175°C
Mounting Type THT
Voltage 650V
VCE Sat 2.1V
Rohs ROHS
Diode With Diode
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Package / Case TO247-3
Current (Ic) (25°C) 180A
Technology XPT
Current (Ic) 80A
Current Temperature (IC) 110°C
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin