IXGT30N60B2D1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 600V H.FAST TO268(D3PAK)


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGT30N60B2D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 600V H.FAST TO268(D3PAK)
Stok 215
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 8,56999 USD 310,45046 ₺ + KDV
30 + 7,79090 USD 282,22769 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 190W
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Technology HiPer Fast
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 1.8V
Packaging TUBE
Current (Ic) 30A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 70A
Voltage 600V
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin