IXGT30N120B3D1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGT30N120B3D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 23,46981 USD 894,87327 ₺ + KDV
30 + 21,93440 USD 836,33016 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 1.2kV
Additional Documentation N/A
Manufacturer IXYS
Power Dissipation 300W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Package / Case TO268 (D3PAK)
Technology GENX3
Current (Ic) 30A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) N/A
VCE Sat 3.5V
Rohs ROHS
Hata Bildirin