IXGT30N120B3D1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGT30N120B3D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 22,08555 USD 719,22032 ₺ + KDV
30 + 20,64070 USD 672,16852 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Technology GENX3
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Current (Ic) (25°C) N/A
Configuration Single
Packaging TUBE
Diode With Diode
Current (Ic) 30A
Voltage 1.2kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 3.5V
Power Dissipation 300W
Hata Bildirin