IXGT30N120B3D1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGT30N120B3D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 23,49827 USD 920,81731 ₺ + KDV
30 + 21,96100 USD 860,57692 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Additional Documentation N/A
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 1.2kV
Manufacturer IXYS
Power Dissipation 300W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Package / Case TO268 (D3PAK)
Technology GENX3
Current (Ic) 30A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) N/A
VCE Sat 3.5V
Rohs ROHS
Hata Bildirin