IXGP30N60C3C1 - IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 TO220AB


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGP30N60C3C1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 TO220AB
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 50
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 15,88704 USD 622,55904 ₺ + KDV
50 + 14,84770 USD 581,83088 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 3V
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case TO220AB
Technology GENX3
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Voltage 600V
Configuration Single
Packaging TUBE
Mounting Type THT
Diode With Diode SiC
Current (Ic) (25°C) 60A
Current (Ic) 30A
Power Dissipation 220W
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin