IXGP30N60C3C1 - IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 TO220AB


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGP30N60C3C1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 TO220AB
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 50
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 14,36957 USD 509,43413 ₺ + KDV
50 + 13,42950 USD 476,10666 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 3V
Rohs ROHS
Mounting Type THT
Diode With Diode SiC
Current (Ic) (25°C) 60A
Current (Ic) 30A
Power Dissipation 220W
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Voltage 600V
Configuration Single
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Package / Case TO220AB
Technology GENX3
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin