IXBX75N170A - IGBT DIS.DIODE SINGLE 65A 1700V BIMOSFET PLUS247


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBX75N170A Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 65A 1700V BIMOSFET PLUS247
Stok 30
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 81,45685 USD 2814,41573 ₺ + KDV
30 + 76,12790 USD 2630,29507 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Technology BiMOSFET
Package / Case PLUS247
Current Temperature (IC) 90°C
Power Dissipation 1.04kW
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type THT
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 110A
Rohs ROHS
Current (Ic) 65A
Voltage 1.7kV
VCE Sat 4.95V
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Hata Bildirin