IXBX50N360HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 3600V BIMOSFET TO247PLUS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBX50N360HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 3600V BIMOSFET TO247PLUS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 102,94695 USD
30 + 96,21210 USD
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
VCE Sat 2.9V
Power Dissipation 660W
Packaging TUBE
Voltage 3600V (3.6kV)
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 50A
Current Temperature (IC) 110°C
Configuration Single
Package / Case TO247PLUS-HV
Technology BiMOSFET
Diode With Diode
Rohs ROHS
Mounting Type THT
Current (Ic) (25°C) 125A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin