IXBT42N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 69,90299 USD 2538,59709 ₺ + KDV
30 + 65,32990 USD 2372,52065 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
VCE Sat 3V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Current (Ic) (25°C) 104A
Current (Ic) 42A
Current Temperature (IC) 110°C
Additional Documentation N/A
Diode With Diode
Packaging TUBE
Package / Case TO268 (D3PAK)
Technology BiMOSFET
Power Dissipation 500W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Voltage 3kV
Hata Bildirin