IXBT42N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 76,07240 USD 2981,01867 ₺ + KDV
30 + 71,09570 USD 2785,99876 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Packaging TUBE
VCE Sat 3V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Technology BiMOSFET
Power Dissipation 500W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) (25°C) 104A
Current (Ic) 42A
Current Temperature (IC) 110°C
Additional Documentation N/A
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Voltage 3kV
Hata Bildirin