IXBT42N170A - IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N170A Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 16
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 33,04010 USD 1210,24242 ₺ + KDV
30 + 30,87860 USD 1131,06768 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Current (Ic) 21A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Current (Ic) (25°C) 42A
Current Temperature (IC) 90°C
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Configuration Single
Package / Case TO268 (D3PAK)
Voltage 1.7kV
Power Dissipation 357W
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
VCE Sat 6V
Hata Bildirin