IXBT42N170 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 33,46479 USD 1079,64759 ₺ + KDV
30 + 31,27550 USD 1009,01644 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 90°C
Technology BiMOSFET
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current (Ic) 42A
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 80A
Voltage 1.7kV
Power Dissipation 360W
Mounting Type SMT
VCE Sat 2.8V
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Hata Bildirin