IXBT42N170 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 300
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 33,93526 USD 1289,15996 ₺ + KDV
30 + 31,71520 USD 1204,82239 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) (25°C) 80A
Power Dissipation 360W
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current (Ic) 42A
Configuration Single
Technology BiMOSFET
Current Temperature (IC) 90°C
Voltage 1.7kV
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
VCE Sat 2.8V
Additional Documentation N/A
Packaging TUBE
Hata Bildirin