IXBT32N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT32N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 87,85363 USD 3442,68521 ₺ + KDV
30 + 82,10620 USD 3217,46282 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
VCE Sat 2.8V
Technology BiMOSFET
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Current (Ic) 32A
Packaging TUBE
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current (Ic) (25°C) 80A
Current Temperature (IC) 110°C
Power Dissipation 400W
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Voltage 3kV
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin