IXBT32N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT32N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 81,25666 USD 2808,49818 ₺ + KDV
30 + 75,94080 USD 2624,76465 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 80A
Rohs ROHS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Voltage 3kV
Power Dissipation 400W
Diode With Diode
Current (Ic) 32A
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 2.8V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin