IXBT2N250-TR - IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT2N250-TR Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 400
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 23,90637 USD 771,30310 ₺ + KDV
400 + 22,34240 USD 720,84402 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Current (Ic) 2A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Package / Case TO268 (D3PAK)
Power Dissipation 32W
Packaging TAPE&REEL
Current (Ic) (25°C) 5A
Current Temperature (IC) 110°C
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Technology BiMOSFET
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Voltage 2.5kV
VCE Sat 3.8V
Configuration Single
Hata Bildirin