IXBT20N360HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT20N360HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 108,83313 USD 4149,66576 ₺ + KDV
30 + 103,65060 USD 3952,06263 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Additional Documentation N/A
VCE Sat 2.9V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 70A
Voltage 3.6kV
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Current (Ic) 20A
Power Dissipation 430W
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 110°C
Rohs ROHS
Hata Bildirin