| Ürün Kodu |
IXBT10N170
|
|||||||||
| Ürün Açıklama | IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268 | |||||||||
| Stok | 299 | |||||||||
| Gelecek Stok | Yok | |||||||||
| Teslimat Süresi |
Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
|
|||||||||
| Min. Paketleme Adedi | 30 | |||||||||
| Min. Sipariş Adedi | 1 | |||||||||
| Birim Fiyat |
|
| Ürün Özellikleri: | Tümünü Seç : | |
|---|---|---|
| Mounting Type | SMT | |
| VCE Sat | 3.4V | |
| Diode | With Diode | |
| Junction Temperature (Tj) | 150°C | |
| Operating Temperature | -55°C ~ +150°C | |
| Rohs | NON ROHS | |
| Current (Ic) | 10A | |
| Current Temperature (IC) | 90°C | |
| Voltage | 1.7kV | |
| Package / Case | TO268 (D3PAK) | |
| Technology | BiMOSFET | |
| Power Dissipation | 130W | |
| Packaging | TUBE | |
| Manufacturer | IXYS | |
| Current (Ic) (25°C) | 20A | |
| Configuration | Single | |
| Hata Bildirin |
İLGİNİZİ ÇEKEBİLECEK DİĞER ÜRÜNLER
0,74003 USD
31,49223 USD
0,31903 USD
4,00000 USD
108,64469 USD
44,92488 USD
Datasheet
