* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT10N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268
Stok 299
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 14,57886 USD 503,71409 ₺ + KDV
30 + 13,62510 USD 470,76083 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 20A
Current (Ic) 10A
Technology BiMOSFET
Mounting Type SMT
Voltage 1.7kV
Power Dissipation 130W
Packaging TUBE
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs NON ROHS
Package / Case TO268 (D3PAK)
VCE Sat 3.4V
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 90°C
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Hata Bildirin