IXBP5N160G - IGBT DIS.DIODE SINGLE 5.7A 1600V BIMOSFET TO220AB


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBP5N160G Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 5.7A 1600V BIMOSFET TO220AB
Stok 652
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 50
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 14,21549 USD 540,02922 ₺ + KDV
50 + 13,28550 USD 504,70020 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Configuration Single
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Diode With Diode
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Mounting Type THT
Current Temperature (IC) 90°C
Package / Case TO220AB
VCE Sat 4.9V
Power Dissipation 68W
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Current (Ic) (25°C) 5.7A
Current (Ic) 3.5A
Voltage 1.6kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin