IXBL60N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 36A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI5


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBL60N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 36A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI5
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 153,59726 USD 4980,65211 ₺ + KDV
25 + 146,28310 USD 4743,47820 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Current (Ic) 36A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case ISOPLUSI5-PAC
Current Temperature (IC) 110°C
Technology BiMOSFET
Mounting Type THT
Current (Ic) (25°C) 92A
Voltage 3.6kV
VCE Sat 2.8V
Power Dissipation 417W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Hata Bildirin