IXBL60N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 36A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI5


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBL60N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 36A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI5
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 158,13053 USD 6007,18889 ₺ + KDV
25 + 150,60050 USD 5721,13227 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 110°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type THT
Current (Ic) 36A
Junction Temperature (Tj) 150°C
VCE Sat 2.8V
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Package / Case ISOPLUSI5-PAC
Diode With Diode
Power Dissipation 417W
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 92A
Voltage 3.6kV
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin