IXBF50N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF50N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 151,42208 USD 5231,78411 ₺ + KDV
25 + 144,21150 USD 4982,65154 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
VCE Sat 2.4V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type THT
Power Dissipation 290W
Packaging TUBE
Current (Ic) 28A
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 3.6kV
Configuration Single
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 70A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin