IXBF20N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF20N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok 25
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 75,89093 USD 2460,07270 ₺ + KDV
25 + 70,92610 USD 2299,13336 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 34A
Current (Ic) 14A
Current Temperature (IC) 110°C
Diode With Diode
Rohs ROHS
Technology BiMOSFET
Package / Case ISOPLUSI4-PAC
Voltage 3kV
VCE Sat 3.2V
Power Dissipation 150W
Configuration Single
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Mounting Type THT
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin