* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12150W-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 150A 1200V W CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 20
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 304,22889 USD 9912,23358 ₺ + KDV
20 + 289,74180 USD 9440,22246 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type Chassis
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) 150A
Packaging BOX
Technology Power Module
Current (Ic) (25°C) 200A
Voltage 1.2kV
VCE Sat 1.7V
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case W Case
Current Temperature (IC) 80°C
Diode With Diode
Power Dissipation 625W
Configuration Six
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Hata Bildirin